IRD-IGS-10 超大光敏面銦鎵砷光電二極管(10mm) 近紅外波長
產(chǎn)品描述:
筱曉光子庫存?zhèn)溆懈鞣N有效面積和封裝的PIN結(jié)二極管(PD)，包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。
我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600nm的范圍內(nèi)具有高響應(yīng)率，其探測波長超過典型銦鎵砷光電二極管的1800nm。雙波段光電二極管，它集成了上下緊貼在一起的兩個(gè)光電探測器(硅基底在上，銦鎵砷基底在下)，組合波長范圍從400到1700nm。
為了豐富我們的光電二極管產(chǎn)品線，我們提供已安裝的光電二極管便于客戶供電即用，探測器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應(yīng)，從而扭曲光電二極管的時(shí)域響應(yīng)。因此，我們建議使光入射在 有效面積中心。為此，可以在探測器前放置聚焦透鏡或者針孔。
產(chǎn)品特點(diǎn):
10mm超大光敏面
900nm to 1700nm 光譜響應(yīng)
高線性 > 10 dBm
—正照平面型芯片結(jié)構(gòu)
光敏面積大、低暗電流
技術(shù)參數(shù):
光譜響應(yīng)曲線:
封裝尺寸及引腳定義:
極限值:
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