亞太赫茲波段成像相機(jī)
探相機(jī)探測(cè)器部分基于GaAs異質(zhì)結(jié)高效的載流子遷移率,利用傳統(tǒng)光刻蝕的方法制造。成像傳感器制做在一個(gè)單獨(dú)的晶圓上。整個(gè)過(guò)程確保了等離子體探測(cè)器各項(xiàng)參數(shù)的穩(wěn)定性和高的響應(yīng)度(像素-像素之間的響應(yīng)度偏離20%之內(nèi))。每個(gè)獨(dú)立的探測(cè)單元在室溫下的響應(yīng)度高達(dá)50KV/W,在10GHz-1THz之間的噪聲等效功率為1nW/Hz1/2。探測(cè)器的探測(cè)機(jī)制是基于在二維電子系統(tǒng)中入射太赫茲與等離子體振蕩的轉(zhuǎn)化過(guò)程。
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