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筱曉光子 850nm單模光纖耦合VCSEL激光二管（不帶TEC）

總覽

PL-VCSEL-1-A81 850nm VCSEL 是一款垂直發(fā)射 MOVPE 生長(zhǎng)的 GaAsP/AlGaAs 單模二管激光器。波長(zhǎng)調(diào)諧可以通過(guò)激光電流和溫度調(diào)諧來(lái)實(shí)現(xiàn)。內(nèi)置TEC和熱敏電阻。我們的 850 nm 單模 VCSEL 為高速、高性能通信應(yīng)用而設(shè)計(jì)。

中心波長(zhǎng)

850nm

通用參數(shù)

產(chǎn)品特點(diǎn)：

電學(xué)和光學(xué)特性對(duì)溫度的依賴性較低

垂直腔面發(fā)射激光器

內(nèi)部TEC和熱敏電阻，ESD保護(hù)

窄線寬

2nm可調(diào)諧

產(chǎn)品應(yīng)用：

長(zhǎng)途電話接入網(wǎng)

局域網(wǎng)

以太網(wǎng)

光電參數(shù) 條件：TO P = 20°C, IO P = 10.0 mA除非另有說(shuō)明（TO P=芯片背面溫度，由TEC控制）

參數(shù)	符號(hào)	小	典型	大	單位	備注
工作波長(zhǎng)	λR	850nm
閾值電流	ITH		1		mA
輸出功率	Popt	0.5	1		mW
閾值電壓	UTH		1.8		V
工作電流	IOP		3		mA	Popt = 0.5mW
工作電壓	UOP		3		V	Popt = 0.5 mW
光電轉(zhuǎn)換率	ηWP		12		%	Popt = 0.5 mW
斜率效能	ηS		0.3		W/A
上升和下降時(shí)間	Tr /Tf		90/120		Psec
微分串聯(lián)電阻	RS		100	200	Ω	Popt = 0.5 mW
3dB 調(diào)制帶寬	ν3dB	0.10	2.5		GHz	Popt = 0.5 mW Due to ESD protection diode
相對(duì)噪聲強(qiáng)度	RIN		-130	-120	dB/Hz	Popt = 0.3 mW @ 1 GHz
波長(zhǎng)電流調(diào)諧系數(shù)			0.6		nm/mA
波長(zhǎng)溫度調(diào)諧系數(shù)			0.06		nm/K
熱敏電阻(VCSEL chip)	Rthermal	3		5	K/mW
邊模抑制比（SMSR)		35			dB	I = 2 mA
光束發(fā)散角	θ	10		25	°	Popt = 0.5mW, full width 1/e2
光譜寬度			100		MHz	Popt = 0.5 mW

Tec 特性	單位	小	典型	大	備注
Tec 電流	mA	-150(Heating)		+300(Cooling)	Proper Heart Sink Required
NTC 熱敏電阻	KΩ	9.5	10.0	10.5	T=25℃@10 KΩ
NTC 熱敏電阻	KΩ	10/exp{3892-(1/289K-I/TOP)}

光譜圖

L-I 曲線(T@25°C)

溫度/波長(zhǎng)調(diào)諧曲線@TEC電流

激光光斑圖(2D/3D)

光束輪廓

在遠(yuǎn)場(chǎng)中，單模VCSEL的強(qiáng)度分布是wan美的高斯形狀

大值參數(shù)

參數(shù)	單位	小	典型	大
存儲(chǔ)溫度	℃	-40	25	125
芯片溫度	℃	+10	25	40
工作電流	mA	0	3.0	5.0
正向電壓	V	0.8	3.0	4.8
TEC 電流	mA	-150	-	+300
焊接溫度*	℃	100	130	260
功耗	mw	-	-	5