GaSe(硒化鎵)太赫茲晶體
產(chǎn)品描述:
GaSe(硒化鎵)晶體的太赫茲振蕩能達(dá)到有非常寬的頻域，至41THz。GaSe是負(fù)單軸層狀半導(dǎo)體晶體，擁有六邊形結(jié)構(gòu)的62m空間點(diǎn)群，300K時(shí)禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高，非線性系數(shù)大(54pm/V)，非常合適的透明范圍，以及超低的吸收系數(shù)，這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。 因?qū)拵掌澱袷幒吞綔y(cè)使用的是低于20飛秒的激光光源，GaSe發(fā)射-探測(cè)系統(tǒng)能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結(jié)果。通過對(duì)GaSe晶體厚度的選取，我們可以實(shí)現(xiàn)對(duì)THz波的頻率可選擇性控制。
注:GaSe晶體的解理面為(001)，因此對(duì)該晶體使用的一個(gè)很大限制在于質(zhì)軟，易碎。
產(chǎn)品特點(diǎn):
太赫茲振蕩能達(dá)到有非常寬的頻域
抗損傷閾值高
非線性系數(shù)大
CO2激光的SHG
多種尺寸可選
客戶導(dǎo)向的解決方案
接受客戶定制服務(wù)
應(yīng)用領(lǐng)域:
太赫茲時(shí)域系統(tǒng)
太赫茲源晶體
中遠(yuǎn)紅外氣體探測(cè)
CO2激光的SHG
THZ實(shí)驗(yàn)光源
太赫茲成像
技術(shù)參數(shù):
GaSe晶體的透過率曲線:
實(shí)驗(yàn)室光路系統(tǒng):
EOS測(cè)量及反演結(jié)果:
所有評(píng)論僅代表網(wǎng)友意見，與本站立場(chǎng)無關(guān)。