LISe 硒銦鋰 (LilnSe2) NIR-IR近紅外非線性晶體
LISe 硒銦鋰 (LilnSe2) NIR-IR近紅外非線性晶體通過(guò)定向凝固生長(zhǎng)單晶。典型的生長(zhǎng)晶體長(zhǎng)約 20 毫米，直徑約 10 毫米，呈深紅色。晶格常數(shù)被確定為a = 7.218 埃， b= 8.441 Å，c = 6.772 Å，粉末 X 射線衍射。通過(guò)差熱分析確定熔點(diǎn)為904℃。LiInSe 的能帶隙2在室溫下，通過(guò)光傳輸測(cè)量估計(jì)為 1.88 eV。典型的室溫電阻率為 2.67 × 1011 Ω cm 具有 n 型電導(dǎo)率。
雙軸硒化鋰銦（LiInSe 2或 LISe）非線性光學(xué)晶體的光譜透明度范圍和高雙折射使人們能夠?qū)崿F(xiàn)所有廣泛使用的中紅外激光器的倍頻。它們的效率與AgGaS 2 晶體的效率相同，是LiInS 2晶體的效率的兩倍。LiInSe 2晶體的優(yōu)勢(shì)在于可以創(chuàng)建由近紅外固態(tài)激光器（特別是 Nd:YAG 激光器）輻射泵浦的中紅外參量光振蕩器，其效率比 AgGaS 2高一倍以上和 LiInS使用了2個(gè)晶體。還值得注意的是，LiInSe 2 晶體在飛脈沖頻率轉(zhuǎn)換方面的潛在優(yōu)勢(shì)超過(guò)了所有已知晶體，無(wú)論是在中紅外區(qū)域，還是在飛 Ti：藍(lán)寶石和 Cr：鎂橄欖石激光的輻射直接轉(zhuǎn)換到中紅外區(qū)域.
主要特性
| 復(fù)合物 | LilnSe2 | |
| 透光率, µm | 0.43– 13.2 | |
| 非線性系數(shù), pm/V | d31=11.78, d24=8.17 @2.3 µm | |
| 對(duì)稱度 | 斜方（晶系）, mm2 point group | |
| 晶胞參數(shù), Å | a=7.192, b=8.412, c=6.793 | |
| 帶隙, eV | 2.86 | |
| 典型反射系數(shù) | 10.0 µm | nx=2.2015, ny=2.2522, nz=2.2566 |
| 用于SHG的基頻 | x-y, Type II, eoe | 2.73 – 8.24 |
| x-z, Type I, ooe | 2.08 – 12.4 | |
| y-z, Type II, oeo | 2.73 – 3.07 | |
| y-z Type II, oeo | 7.66 – 8.24 | |
| Total interval covered | 2.08 – 12.4 | |
| 光學(xué)損壞閾值, GW/cm2 | 1064 nm | ~40 |
| 熱導(dǎo)率k, WM/M°C | kx=4.73 ± 0.3; ky=4.67 ± 0.3; kz=5.45 ± 0.3 | |
| 室溫帶隙, eV | Eg = 2.73 | |
| 0.2透明度別的遠(yuǎn)紅外吸收邊緣 | 1.24 THz at 240 µm | |
光學(xué)元件參數(shù)
| 定向精度, arc min | < 30 | |
| 平行度, arc sec | < 30 | |
| 平面度 | 546 nm | λ/4 |
| 表面質(zhì)量, scratch/dig | 30/20 | |
應(yīng)用
Ti: Sappire 激光泵浦下的光學(xué)參量振蕩器 （范圍 1 – 13 µm）
中紅外(2-13µm)的差頻產(chǎn)生
對(duì)于所有晶體，我們能夠?yàn)樘囟☉?yīng)用提供合適的防反射/保護(hù)涂層，以及反射率曲線。
更新時(shí)間：2023/5/24 17:35:35
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