905nm 600w高峰值功率脈沖半導體激光器 光譜寬度 8nm
總覽
LD-PD的脈沖半導體激光器模塊是一個整體905nm的InGaAs/GaAs應變量子阱激光管，可在45A版本中單獨驅(qū)動，激光器的電流注入寬度為200微米，高度為10-480微米芯片。激光二管的封裝設計和組裝加工技術(shù)，我們現(xiàn)在提供9毫米封裝，5毫米封裝以及18F光纖耦合包裝。量子阱激光器設計的上升和下降時間小于1ns，但是驅(qū)動電路布局和封裝電感起主導作用應進行相應的設計。
中心波長
905nm 光譜寬度
8nm 峰值功率
600W 技術(shù)參數(shù)
(Drive Conditions: 100ns 45Amps 1kHz @ 25°Cunless stated otherwise)
| 參數(shù) | 符號 | 小值 | 典型值 | 大值 | 單位 |
| 峰值波長 | λ | 895 | 905 | 915 | nm |
| 譜寬 | ∆λ | 5 | 8 | nm | |
| 上升時間 | Tr | 100 | ns | ||
| 工作電流 | Iop | 45 | A | ||
| 峰值功率 | Pp | 500 | 600 | 650 | W |
| 閾值電流 (typ) | Ith | 0.8 | A | ||
| 占空比 | 0.1 | % | |||
| 光斑發(fā)散度 | 8 x 25 | deg | |||
| 驅(qū)動電壓 | Vf | 1.3 | 2 | V | |
| 操作溫度 | Ot | 0 | 25 | 85 | deg |
| 可選光纖耦合類型* | 200/300/400/600um Depending on Peak Power | um | |||
| 光纖出光功率(typ) | Pf | 38 | 100 | 188 | w |
中心波長溫度曲線
光譜圖
L-I Curve（測試條件45A 1KHZ 100ns）
更新時間：2023/5/24 17:35:17
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